Nand flash
基础信息：
- 非易失性随机访问存储介质
- 基于浮栅（Float Gate）晶体管
加工过程：
沙子 => 单晶硅 =>晶圆（wafer）=> 封装
一片晶圆可以划分成多个芯片，在芯片未封装前每一个小块（晶粒）就是一个die，每一个die就是一个独立功能的芯片，封装后成为闪存颗粒芯片。
芯片结构：
Device > Target > Die（LUN） > Plane > Block > Page > Cell
- Device: 完整的NAND Flash 芯片，包含一个或多个Target；
- Target: 独立的单元，每个单元可以单独寻址，包含一个或多个Die(LUN)；
- Die: 独立封装的物理单元，包含多个Plane；
- Plane: 拥有1K或2k个奇数Block或者偶数Block；
- Block: 执行擦除的最小单元，有多个page组成；
- Page: 编程与读操作(读写)的最小单元，通常大小为：4KB/8KB/16KB/32KB;
- Cell: Page中的最小操作单元，一个Cell对应一个浮栅晶体管，根据颗粒类型（SLC、MLC、TLC、QLC）每个Cell可存储1bit、2bit、3bit、4bit数据。
单个Cell：
理论上，只要存储单元能提供两种可分辨状态便可以用来记录数据
| CONTROL GATE | 控制闸 |
|---|---|
| FLOATING GATE | 浮置闸 |
| SOURCE | 源极 |
| DRAIN | 汲极（漏极） |
| N-channel | N-信道 |
| P-well | P型半导体 |
- 写数据
向控制闸施加高电压，并允许SOURCE与DRAIN之间的N信道流入电子，电流足够强时，电子获得足够能量便会越过FLOATING GATE被下方的二氧化硅单元捕获（停留在浮置闸），这个效应称为穿隧效应（Tunnel Effect）
- 数据保留
电子进入浮置闸后，只要没有足够能量就无法逃离二氧化硅层（浮置闸），状态可以一直维持。
- 读取数据
向控制闸施加电压，吸引浮置闸内的电子，但电流需小于穿隧时的电流不让N通道中的电子穿回去，同时N通道流过电流，利用电流感应浮置闸中的电子捕获量的数量，依靠电子数量确定0和1。
- 数据擦除
对P型半导体施加电压，浮置闸中的电子会再次穿越二氧化硅层，成这个过程为穿隧释出（Tunnel Release）
SLC、MLC、TLC、QLC
- SLC（Single-Level Cell）：每个Cell存放1bit信息，靠浮置闸里电子捕获状态的有或无来输出成数据）,有无电子对应0/1；
- MLC（Multi-Level Cell）：每个Cell存放2bit信息，浮置闸里电子的量会分为高、中、低与无四种状态，转换为二进制后变成 00、01、10、11；
- TLC（Triple-Level Cell ）：每个Cell存放3bit信息，浮置闸里的电子捕获状态分成八种，换算成二进制的 000、001、010、011、100、101、110、111，也就是3bit。
- QLC同理，每个Cell存放4bit信息，浮置闸16种状态。
目前SLC MLC TLC QLC 四种颗粒，寿命、稳定性、成本逐次降低，速度、单颗最大容量依次升高。